PNY
Memoria RAM PNY 8 GB DDR5 SDRAM DDR5 4800 MHz CL40
Memoria RAM PNY 8 GB DDR5 SDRAM DDR5 4800 MHz CL40
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La memoria RAM PNY modelo MD8GSD54800-TB es un módulo de DDR5 SDRAM con una capacidad de 8 GB, diseñado para ofrecer rendimiento mejorado y eficiencia energética en sistemas modernos. Su formato de instalación es de una única unidad de 8 GB, adecuada para ampliar y optimizar la memoria de ordenadores que soporten la última generación de memoria DDR5. Esta tecnología permite velocidades superiores de transferencia de datos, en este caso alcanzando hasta 4800 MHz, lo que se traduce en una mayor rapidez y fluidez en la gestión de tareas multitarea, aplicaciones exigentes y procesos intensivos de cómputo. El módulo presenta un diseño compacto y eficiente con un acabado en color negro, ajustándose a los estándares técnicos actuales y favoreciendo una configuración limpia y estable dentro del equipo. Además, destaca por su bajo consumo energético, una característica inherente a la arquitectura DDR5 que contribuye a un menor calentamiento y mayor durabilidad del hardware. La memoria DDR5 PNY es compatible con placas base que soportan esta tecnología, proporcionando una actualización tecnológica a quienes buscan mejorar el rendimiento de sus dispositivos sin comprometer la estabilidad. En definitiva, este módulo se orienta a usuarios que requieren un desempeño confiable y optimizado de la memoria para aplicaciones tanto profesionales como de ocio, garantizando una experiencia de uso equilibrada y actualizada a los estándares del mercado.
- Tipo:
- Memoria (RAM)
- DDR5
- Velocidad: 4800 MHz
- Color: Negro
- Tipo de Memoria:
- DDR5 SDRAM
- DDR5
- Capacidad: 8 GB
- Memoria RAM: 8 GB RAM
- Voltaje: 1,1 V
- Compatible:
- Ordenadores
- PC/Server
- Conexiones: DIMM
- Factor de forma: RDIMM
- Formato: 1 x 8 GB
- Latencia: CL40
PNY MD8GSD54800-TB. Componente para: PC/servidor, Memoria interna: 8 GB, Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 8 GB, Tipo de memoria interna: DDR5, Velocidad de memoria del reloj: 4800 MHz, Latencia CAS: 40, ECC
- Memoria interna: 8 GB
- Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 8 GB
- Tipo de memoria interna: DDR5
- Velocidad de memoria del reloj: 4800 MHz
- Componente para: PC/servidor
- ECC: Si
- Tipo de memoria con búfer: Unregistered (unbuffered)
- On-Die ECC: Si
- Latencia CAS: 40
- Voltaje de memoria: 1.1 V
- Sistema operativo Windows soportado: Windows 11
- Tipo de embalaje: Ampolla
General Product Safety Regulations information:
PNY Technologies Europe
ZAC du Phare/ 9 rue Joseph Cugnot/ BP 40181/ 33708 Mérignac Cedex France
33708 - Mérignac
+33556354800
tech-sup@pny.eu
https://www.axs-group.com
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